pl:elem
no way to compare when less than two revisions
Differences
This shows you the differences between two versions of the page.
| — | pl:elem [2012/09/29 13:31] (current) – created mkucia | ||
|---|---|---|---|
| Line 1: | Line 1: | ||
| + | ====== Elementy pasywne ====== | ||
| + | ===== Rezystory ===== | ||
| + | {SYM}\\ | ||
| + | [[wp> | ||
| + | |||
| + | ^ Nazwa ^ Wzór ^ | ||
| + | | Napięcie odkładające się na rezystorze | $U = I \cdot R$ | | ||
| + | | Moc wydzielana przez rezystor | < | ||
| + | | Energia wydzielona na rezystorze | < | ||
| + | | Rezystancja zastępcza połączenia szeregowego | < | ||
| + | | Rezystancja zastępcza połączenia równoległego | < | ||
| + | | Rezystancja zastępcza połączenia | [[wppl> | ||
| + | | Rezystancja zastępcza połączenia | [[wppl> | ||
| + | |||
| + | Rezystor rzeczywisty od idealnego różni się: pojemnością i indukcyjnością pasożytniczą powstającymi pomiędzy ścieżkami przewodzącymi i wyprowadzeniami elementu. Parametry te nabierają znaczenia dla obwodów dużej i wielkiej częstotliwości. Schemat zastępczy (model reprezentujący rzeczywisty element za pomocą elementów idealnych): | ||
| + | {SCHEMAT ZASTEPCZY}\\ | ||
| + | |||
| + | Parametry rezystancji oraz tolerancji rezystorów koduje się za pomocą [[http:// | ||
| + | |||
| + | ^ Parametr ^ Nazwa angielska ^ Jednostka ^ Komentarz ^ | ||
| + | |Rezystancja|Resistance|Ohm [Ω]| Jest obarczona tolerancją [%] | | ||
| + | |Moc|Power| Watt [W] | Zależy od obudowy | | ||
| + | |Maksymalne napięcie pracy|Maximum working voltage| Wolt [V] |Zależy od obudowy | | ||
| + | |Temperaturowy współczynnik rezystancji (TWR) | Temperature coefficient | [< | ||
| + | |||
| + | Materiały dodatkowe: | ||
| + | * [[http:// | ||
| + | * [[http:// | ||
| + | * [[http:// | ||
| + | ==== Węglowe ==== | ||
| + | {{http:// | ||
| + | Najszerzej dostępne są rezystory z szeregu E25 o tolerancji 5% (Zakres w zależności od producenta Około 0.5 - 22M [Ω]). Nominalne temperatury pracy dla tego typu elementów to -55 ÷ 155 [°C]. Maksymalne napięcia pracy wachają się od około 250 do 500 [V]. Najpopularniejsze moce znamionowe to: | ||
| + | ^Powlekane ^^^^^^^ | ||
| + | | Moc | [W] | 3 | 2 | 1 | 1/2 | 1/4 | | ||
| + | | Średnica | [mm] | 5 | 4 | 3 | 2.3 | 1.6 | | ||
| + | | Długość | [mm] | 15 | 11 | 9 | 6 | 3.2 | | ||
| + | ==== Metalizowane ==== | ||
| + | ==== Cienkowarstwowe ==== | ||
| + | ==== Drutowe ==== | ||
| + | Rezystory drutowe produkuje się nawijając metaliczny przewodnik na cylindryczny izolator. \\ | ||
| + | Plusami rozwiązania są: | ||
| + | * Duża moc | ||
| + | * Mała podatność na zmiany temperatury [[TWR]] | ||
| + | Natomiast wadami: | ||
| + | * Duże rozmiary | ||
| + | * Bardzo duża indukcyjność pasożytnicza całkowicie eliminująca możliwość zastosowania rezystorów drutowych w układach średnich i dużych częstotliwości. | ||
| + | ==== Drabinki ==== | ||
| + | ==== Potencjometry ==== | ||
| + | === Montażowe === | ||
| + | === Trymery === | ||
| + | Wieloobrotowe, | ||
| + | === Obrotowe i Suwakowe === | ||
| + | == Liniowe == | ||
| + | == Logarytmiczne == | ||
| + | == Wykładnicze == | ||
| + | |||
| + | ===== Kondensatory ===== | ||
| + | |||
| + | Polaryzacja kondensatorów SMD: | ||
| + | {{ http:// | ||
| + | ==== Ceramiczne ==== | ||
| + | ==== Foliowe ==== | ||
| + | ==== Tantalowe ==== | ||
| + | ==== Elektrolityczne ==== | ||
| + | |||
| + | ===== Cewki ===== | ||
| + | ==== Dławiki ==== | ||
| + | |||
| + | ====== Półprzewodniki ====== | ||
| + | ===== Diody ===== | ||
| + | {SCHEM} | ||
| + | |||
| + | Dioda (:EN: diode) to dwukońcówkowy, | ||
| + | wykorzystując zjawisko [[złącza p-n]]. | ||
| + | |||
| + | Dioda może znajdować się w stanach: | ||
| + | * Przewodzenia (:EN: forward) (spolaryzowana w kierunku przewodzenia) | ||
| + | * Zaporowym (:EN: reverse) (spolaryzowana w kierunku zaporowym) | ||
| + | * Przebicia (:EN: breakdown) (spolaryzowana w kierunku zaporowym po przekroczeniu napięcia przebicia) | ||
| + | |||
| + | Diody posiadają dwie końcówki: | ||
| + | * Anodę (:EN: anode) (gr. ἄνοδος | ||
| + | * Katodę (:EN: cathode) (gr. κάθοδος | ||
| + | A więc dioda przewodzi prąd elektryczny od Katody -> Anody | ||
| + | |||
| + | {TYPOWA CH-KA} | ||
| + | |||
| + | |||
| + | |||
| + | Uwagi: | ||
| + | * [[wp> | ||
| + | * [[wppl> | ||
| + | ==== Prostownicze i uniwersalne ==== | ||
| + | |||
| + | ==== Elektroluminescencyjne ==== | ||
| + | Inaczej [[# | ||
| + | ==== Laserowe ==== | ||
| + | Dioda laserowa (:EN: laser diode; :EN: ILD - injection laser diode ) lub laser półprzewodnikowy. Działa na takiej samej zasadzie jak LED. | ||
| + | |||
| + | Plusy: | ||
| + | * Małe wymiary | ||
| + | * Duże moce | ||
| + | * Możliwość modulacji sygnału | ||
| + | * Sterowanie źródłem prądowym (szybko się nagrzewa - zmienia się jej rezystancja) | ||
| + | ==== Zenera ==== | ||
| + | {{: | ||
| + | |||
| + | Dioda Zenera (:EN: Zener diode) jest odmianą diody półprzewodnikowej której głównym parametrem jest napięcie przebicia złącza. Dla małych napięć polaryzacji zaporowej (5 ÷ 7 [V]) w diodzie zachodzi zjawisko | ||
| + | [[wp> | ||
| + | |||
| + | Od klasycznej diody, diodę Zenera odróżnia: | ||
| + | * Większa moc przy płynącym prądzie przebicia (nie powoduje uszkodzenia) | ||
| + | * Ściśle określone napięcie przebicia | ||
| + | * Stroma charakterystyka I(U) w obszarze przebicia | ||
| + | Dioda Zenera pełni funkcje: | ||
| + | * Stabilizacji napięcia | ||
| + | * Zabezpieczającą | ||
| + | * Generacji szumu (generuje go przebicie lawinowe) w [[wp> | ||
| + | |||
| + | {{: | ||
| + | Dla polaryzacji przewodzącej (:EN: forward) dioda zenera zachoduje się tak jak zwykła dioda (zielony fragment charakterystyki). | ||
| + | Natomiast dla polaryzacji zaporowej (:EN: reverse) (fragment niebieski): | ||
| + | * Aż do osiągnięcia napięcia Zenera (:EN: breakdown voltage ;:EN: zener knee voltage) dioda posiada dużą rezystancję | ||
| + | * Po przekroczeniu napięcia Zenera następuje zjawisko przebicia i przez diodę zaczyna płynąć prąd, dioda wykazuje małą rezystancję | ||
| + | |||
| + | * Typical tolerance: 5% | ||
| + | * Typical power: | ||
| + | |||
| + | | 0.3 | 0.5 | 1.3 | 3 | 5 ^ [W] ^ | ||
| + | |||
| + | * Typical breakdown voltage values: | ||
| + | |||
| + | | 2V4 | 2V7 | 3V | 3V3 | 3V6 | 3V9 | 4V3 | 4V7 | 5V1 | 5V6 | 6V2 | 6V8 | 7V5 | 8V2 | 9V1 | 10V | 11V | 12V | 13V | 15V | 16V | 18V | 20V | 22V | 24V ^ [V] ^ | ||
| + | ==== Schottky' | ||
| + | {SYMBOL} | ||
| + | Dioda Schottky' | ||
| + | |||
| + | Charaktertzuje się: | ||
| + | * Małą pojemnością złącza | ||
| + | * Szybkim czasem przełączania (praca w [GHz]) | ||
| + | * Mały spadek napięcia w polaryzacji przewodzącej | ||
| + | * Stosowana w zasilaczach impulsowych | ||
| + | ==== Pojemnościowe ==== | ||
| + | ==== Tunelowe ==== | ||
| + | ==== Impulsowe ==== | ||
| + | ==== Mostki prostownicze ==== | ||
| + | ==== Transile ==== | ||
| + | |||
| + | |||
| + | |||
| + | ^ Parametr ^ Nazwa angielska ^ Jednostka ^ Komentarz ^ | ||
| + | |$V_{RM}$|Stand-off voltage| | | | ||
| + | |$V_{BR}$|Breakdown voltage| | | | ||
| + | |$V_{CL}$|Clamping voltage| | | | ||
| + | |$I_{RM}$|Leakage current at $V_{RM}$| | | | ||
| + | |$I_{PP}$|Peak pulse current| | | | ||
| + | |$\alpha T$|Voltage temperature coefficient| | | | ||
| + | |$V_F$|Forward voltage| | | | ||
| + | |||
| + | |||
| + | Źródło: [[http:// | ||
| + | Uwagi: | ||
| + | * Nazwa TRANSIL jest znakiem towarowym firmy [[http:// | ||
| + | ==== Trisile ==== | ||
| + | Elementy zabezpieczające tyrystory przed przepięciami. | ||
| + | |||
| + | |||
| + | Uwagi: | ||
| + | * Nazwa TRISIL jest znakiem towarowym firmy [[http:// | ||
| + | * [[http:// | ||
| + | ===== Tranzystory ===== | ||
| + | Tranzystor (:EN: transistor od :EN: **trans**conductance var**istor**) - obok RLC podstawowy element budujący każde urządzenie | ||
| + | elektroniczne zarówno cyfrowe jak i analogowe. W zdecydowanej większości zastosowań zastąpił lampy elektronowe. | ||
| + | |||
| + | Historia: | ||
| + | * 1947 Bell Telephone Labolatories - John Bardeen i Walter Houser Brattain - tranzystor ostrzowy | ||
| + | * 1948 Shockley - Teoria tranzystora złączowego (zbudowany w 1950) | ||
| + | * 1956 Nagroda Nobla z fizyki dla Bardeen' | ||
| + | * 1957 Shockley - tranzystor polowy JFET | ||
| + | * 1959 Bell Telephone Labolatories - John Atalla i Davon Kahng - tranzystor MOSFET | ||
| + | |||
| + | Podział ogólny: | ||
| + | * bipolarne (BJT :EN: Bipolar Junction Transistor) (PNP oraz NPN) | ||
| + | * z jednorodną bazą (dyfuzyjny) (:EN: TODO) | ||
| + | * z niejednorodną bazą (dryftowy) (:EN: TODO) | ||
| + | * unipolarne (polowe FET :EN: Field Effect Transistor) | ||
| + | * złączowe (JFET :EN: Junction FET) | ||
| + | * z izolowaną bramką (IGFET :EN: Insulated Gate FET lub MOSFET :EN: Metal-Oxide Semiconductor FET) | ||
| + | * z kanałem wzbogaconym (NC - normalnie zamknięty) | ||
| + | * z kanałem zubożonym (NO - normalnie otwarty) | ||
| + | * specjalne | ||
| + | |||
| + | ==== Bipolarne ==== | ||
| + | < | ||